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東莞市源林電子科技有限公司
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  • 主營(yíng):壓敏電阻,熱敏電阻,溫度傳感器
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    壓敏電阻采購,就選源林電子,型號(hào)豐富

    壓敏電壓和電阻器厚度的關(guān)系:

    對(duì)ZnO壓敏電阻器,加在每晶界上的電壓約為3.5V,所以當(dāng)晶粒大小一定時(shí),壓敏電阻器越厚,壓敏電壓越高,關(guān)系如下:

    U=UgbNgt , E0.5=U/t

    由于壓敏電阻型號(hào)太多,篇幅有限,恕不一一呈現(xiàn),欲知詳請(qǐng),歡迎撥打圖片中的咨詢電話與我們?cè)戳蛛娮勇?lián)系,謝謝!








    壓敏電阻采購,就選源林電子,自有工廠

    為了觀察燒結(jié)成品晶粒生長(zhǎng)情況,氣孔率,致密性等,分析元素的摻雜等對(duì)成品性能的影響,對(duì)制得的ZnO陶瓷成品斷口進(jìn)行觀測(cè)。樣品1與樣品2相比較小且大小不等、雜亂無章,即存在8um左右的大晶粒也存在很多1um以下的小晶粒,其中以小尺寸晶粒居多;(2)晶粒形貌呈現(xiàn)多樣性生長(zhǎng)趨勢(shì)。(3)ZnO主晶相之間存在較多存在孔洞、縫隙。由2中可以看出:(1)ZnO平均晶粒尺寸為10

    ~15um,且小尺寸晶粒數(shù)量大量減少,尺寸生長(zhǎng)比較均勻;(2)晶粒形貌大多呈現(xiàn)正多邊形或圓形生長(zhǎng)趨勢(shì)、晶粒生長(zhǎng)堆積緊密;總之,摻雜TiO2的樣品與未摻雜TiO2的樣品相比從顯微結(jié)構(gòu)上看晶粒形貌規(guī)整,結(jié)構(gòu)均勻、致密,晶粒較大。樣品3.ZnO主晶相之問存在較多存在孔洞、縫隙;圖晶界出現(xiàn)了大量液相熔融,且晶界較寬,而且晶粒邊緣有尖晶石相存在使晶粒長(zhǎng)大受限;相比較樣品2.晶粒尺寸又變的不均勻,出現(xiàn)極大和極小顆粒。總之,隨著TiO2的加入ZnO壓敏陶瓷的平均晶粒尺寸增大,但加入量過多時(shí),ZnO壓敏陶瓷的電性能開始惡化。TiO2的摻雜會(huì)使氧化鋅壓敏陶瓷的平均晶粒明顯增大,但摻雜量過多時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量Zn2Ti04尖晶石相阻礙晶粒進(jìn)一步長(zhǎng)大。

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